摘要:传统的功率放大器调制驱动器采用电荷泵式结构,使电路输出的脉冲宽度受到限制,同时,外围元器件连接也较为复杂。提出了一种新型调制驱动器架构解决以上问题。采用高侧驱动p型MOSFET的应用架构,从而去除了电荷泵式结构;并引入分时电控结构,减少了外围元件。基于0.5μm BCD工艺设计了一款半桥式调制驱动器芯片,测试结果表明,采用该技术的半桥驱动器芯片,在没有外接电容的情况下,驱动能力可达400 mA,负载电容1 nF时,驱动信号上升沿和下降沿均小于100 ns,能够满足大多数小体积应用需求,具有极好的应用适应性。
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