ITO窗口层光子晶体对GaN基LED性能的调控

摘要：与传统光源相比,基于GaN材料的发光二极管(LED)具有量子效率高、寿命长等优势,在通用照明、显示、医疗等领域中的应用份额稳步提升。然而受制于其材料特性与器件结构,GaN基LED在内量子效率与光提取效率方面仍有较大的提升空间。为解决以上关键问题,利用电子束曝光技术成功在GaN基LED表面的氧化铟锡(ITO)窗口层集成了光子晶体,并对光子晶体对于LED发光波长、电流-电压特性、发光强度等关键参数的调控进行了表征测量,结果表明,器件的法向电致发光强度提升了25%,器件的工作电压也有所降低。