利用旋涂方式代替提拉方式的连续离子层吸附反应法制备CdS薄膜工艺研究

摘要：针对连续离子层吸附反应法的吸附不足工艺问题进行改进。采用旋凃方式代替提拉方式的连续离子层吸附反应法研究改进后的连续离子层吸附反应法工艺条件对薄膜附着性能的影响,并且研究吸附过程中镀膜次数、镀膜时间、反应物的浓度对薄膜生长过程的影响。运用X射线衍射仪（XRD）对薄膜的晶相组成进行分析表征。对改进后的方法所制备薄膜的层数和晶粒大小的关系曲线进行分析。结果表明改进后的连续离子层吸附反应法在镀膜层数为25~30层能有效制备出XRD峰值较好、晶粒较大的Cd S薄膜。