摘要：针对A位掺杂钙钛矿结构锰氧化物(A1-xBxMnO3)薄膜材料的微弱低频1/f噪声信号检测,采用基于双通道信号互相关运算的测试方法,有效消除了接触噪声对本底噪声的影响。通过对薄膜样品La0.7Sr0.3MnO3的低频1/f噪声和电阻率测量,揭示了由不同衬底材料、不同厚度所引起的薄膜晶格内部应力变化对载流子输运机制的影响。结果表明,薄膜样品的1/f噪声水平和导电特性与材料厚度变化密切相关,La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3样品在临界厚度下表现出较低的1/f噪声;而La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3/Si样品随着厚度增大,其1/f噪声不断优化。上述结论对基于磁性材料的新型传感器的研制具有重要的参考意义。