GaN基功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评
中山大学电子与信息学院; 西安交通大学电气工程学院; 中山大学电力电子及控制技术研究所、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心; IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议(ISPSD)技术程序委员会; IEEE电子器件学会(EDS)功率器件与集成电路委员会、中国电源学会、中国电源学会元器件专委会、中国电工学会电力电子分会、中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会; 中国电工技术学会电力电子技术专委会、电气节能专委会; 中国电源学会直流电源专委会
- 氮化镓
- 功率电子器件
- 功率密度
- 通态电阻
- 开关损耗
摘要：GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势,适合应用于新型高效、大功率等的电力电子系统。国内关于GaN基功率电子器件的研究已经取得了较为明显的进展,但与发达国家相比仍有一定的差距。为此,《电源学报》特别推出了“GaN基功率电子器件及其应用”专辑,基本涵盖GaN功率电子器件及其应用研究的热点问题,展示了不同研究机构和企业在该领域的研发现状,具有良好的学术研究和应用参考价值。
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