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基于球差校正扫描透射电镜的快离子导体β-Ag2S中Ag占位表征

刘军; 陈陆; 王勇; 张泽 浙江大学电子显微镜中心; 材料科学与工程学院; 硅材料国家重点实验室; 浙江杭州310027
  • 球差校正
  • stem
  • 原子占位

摘要:目前学界对β-Ag2S快离子导体中Ag原子占位仍未认识清楚,而这一问题对理解β-Ag2S的导电机理等特性具有重要意义。本文首次报道了基于球差校正扫描透射电镜(STEM)的β-Ag2S快离子导体中Ag原子占位表征。沿[100]β、[110]β、[210]β和[111]β方向的原子级分辨率高角环形暗场(HAADF)像与QSTEM软件高分辨模拟图像对比结果表明Ag原子在6(b)、12(d)和24(h)三类间隙均有分布。原位加热实验结果表明,当温度上升到300℃时Ag原子占位并未发生明显变化。本文为理解β-Ag2S的结构提供了直接的重要信息。

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