两步生长法制备准有序氮化镓纳米线

摘要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备准有序氮化镓纳米线。以带有氮化镓外延层(0001)的蓝宝石(Al2O3)作为衬底,表面沉积镍金(Ni/Au)薄膜作为催化剂,三甲基镓(TMGa)和氨气(NH3)作为气体源由载气通入反应室,在高温条件下生长出GaN纳米线。实验结果表明,生长温度影响纳米线的表面形貌,在750℃可以生长出形貌较好的纳米线。催化剂层的厚度影响纳米线的生长模式和有序性。通过两步生长法,可以制备出较为有序的氮化镓纳米线。