AlGaN基日盲紫外探测器外延关键技术

摘要：以AlGaN为代表的第三代宽禁带半导体材料是制备紫外探测器等光电器件的关键材料,是近年来国内外研究的热点。然而由于缺乏同质外延衬底,异质外延获得的AlGaN材料晶体质量普遍较差且高Al组分AlGaN掺杂困难,严重限制了紫外探测器的性能。制备高性能AlGaN基日盲紫外探测器的关键是外延生长高质量的AlGaN材料并实现高效掺杂。本文综述了AlGaN基日盲紫外探测器材料外延生长的关键技术以及国内外研究进展等。