摘要：基于抗辐照0.18μm CMOS工艺,研究ESD保护器件GGNMOS结构的ESD性能。为提升电路抗辐照性能,采用薄外延衬底材料且引入场区总剂量加固工艺技术,提升电路的抗单粒子闩锁能力SEL使之大于75MeV,同时令抗总剂量辐射能力达到300krad(Si)。在抗辐照工艺开发过程中,发现上述工艺加固措施会对器件抗ESD能力产生较大影响,因此在原有的ESD工艺基础上,对器件结构与ESD工艺进行优化。将优化后GGNMOS器件应用于抗辐照电路的开发当中进行实际验证,结果表明,电路的抗ESD能力大于3000V,满足了抗辐照加固工艺的应用需求。