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一种12位2 GS/s BiCMOS采样保持电路

孙伟; 王永禄; 杨鑫; 何基 重庆邮电大学光电工程学院; 重庆400065; 模拟集成电路国家重点实验室; 重庆400060
  • 采样保持电路
  • sige
  • bicmos工艺
  • 射极跟随开关

摘要:基于130 nm BiCMOS工艺,设计了一种12位高速采样保持电路,对电路的主要性能进行了分析。电路采用差分结构,采样开关是开环交换射极跟随开关。在输入信号范围内,缓冲器的线性度较高。采用Cadence Spectre软件进行仿真。结果表明,当采样率为2 GS/s,模拟输入差分信号为992 MHz频率、0.5Vpp幅度的正弦波时,SFDR达75.11 dB,SNDR达73.82 dB,电路功耗仅为98 mW,满足了12位采样保持的要求。

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