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微波合成片状β-SiC的工艺研究

董陈江; 李纪鹏; 王若名; 宋勃震; 高前程; 范书珩; 理思远; 李文豪; 张锐 郑州航空工业管理学院航空材料与应用技术重点实验室; 郑州450015; 郑州大学材料科学与工程系; 郑州450002
  • 微波加热
  • 加热热效应

摘要:片状β-SiC可通过使用石墨纸(C)作为碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶胶.凝胶作为硅源、经微波加热合成。本文根据加热过程中微波炉加热温度、输入功率和反射功率的变化曲线,探讨了微波合成片状β-SiC过程中微波加热热效应。分别选择1100°C、1200°C、1300°C、1400°C和1500°C五个微波烧结温度,研究了相同保温时间下不同加热温度对微波合成片状β-SiC的影响。在烧结温度1300°C下,选取保温时间分别为0min、10min、30min和60min,探索了同一合成温度下不同保温时间对微波合成片状β-SiC的影响。采用XRD,SEM技术对样品进行了表征。结果发现,烧结温度为1100°C时,产物中合成了片状β-SiC;当烧结温度为1400°C时,片状β-SiC转化为β-SiC颗粒。过高的烧结温度和过长的保温时间都将导致β-SiC的氧化。在1300°C保温30min条件下得到的片状β-SiC生长最好。

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