首页 > 期刊 > 自然科学与工程技术 > 工程科技II > 综合科技B类综合 > 西南交通大学学报 > 基于高光谱成像技术的绝缘子污秽度预测 【正文】
摘要:高光谱成像技术能对绝缘子进行非接触式成像,且具有多波段、图谱合一等特点.为此,本文提出一种基于高光谱成像技术的绝缘子污秽度预测方法.首先,利用高光谱成像仪对绝缘子进行成像,得到400~1 000 nm波段范围内的高光谱图像数据,并进行黑白校正;然后,获取感兴趣区域(region of interest,ROI)的反射率光谱曲线,进行Savitzky-Golay平滑、对数或一阶导数变换的预处理.最后,联合部分的真实样本标签数据分别建立基于支持向量机的绝缘子污秽度预测(support vector machines-insulator contamination degree prediction,SVM-ICDP)和基于偏最小二乘回归的绝缘子污秽度预测(partial least squares regression-insulator contamination degreeprediction,PLSR-ICDP)模型.从实验结果中可知,当预处理方法采用一阶导数变换时,所建立的绝缘子污秽度预测模型效果最佳,即SVM-ICDP模型准确率达到91.84%;PLSR-ICDP模型的均方根误差(root mean square error,RMSE)为0.024 1.
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
一对一咨询服务、简单快捷、省时省力
了解更多 >直邮到家、实时跟踪、更安全更省心
了解更多 >去除中间环节享受低价,物流进度实时通知
了解更多 >正版杂志,匹配度高、性价比高、成功率高
了解更多 >