摘要：本文详细的叙述了SiC SBD和SiC MOSFET器件Pspice建模过程,SiCSBD由于结构简单,本文根据Pspice Referenceguide中提到的二极管物理参数提取理论,详细叙述参数提取和温度特性拟合。从而建立一个简单实用的器件模型。借助于功率分析仪对SiC MOSFET进行参数测试。运用matlab进行导通电阻,阈值电压,跨导等相关参数拟合,然后进一步拟合出输出输入特性曲线。对SiC MOSFET的极间电容做最简单的处理,且考虑极间电容随VDS两端电压的变化而变化。最后对比不同温度下的SiCMOSFET器件实测数据和仿真数据。仿真结果在满足精准度的同时并且有很好的收敛性。