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高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性

亢玉彬; 唐吉龙; 张健; 方铉; 房丹; 王登魁; 林逢源; 魏志鹏 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 吉林长春130022
  • 薄膜
  • 应变
  • 拉曼光谱
  • 光致发光
  • 分子束外延

摘要:通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了InxGa1-xAs薄膜中存在应变。

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