半导体论文篇(1)

关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体

1半导体材料的战略地位

上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。

2几种主要半导体材料的发展现状与趋势

2.1硅材料

从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（IC‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。

从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI材料，包括智能剥离（Smartcut）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。

理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2），低K介电互连材料，用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。

2.2GaAs和InP单晶材料

GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的SI－GaAs发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI－GaAs集成电路生产线。InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。

GaAs和InP单晶的发展趋势是：

（1）。增大晶体直径，目前4英寸的SI－GaAs已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI－GaAs也将投入工业应用。

（2）。提高材料的电学和光学微区均匀性。

（3）。降低单晶的缺陷密度，特别是位错。

（4）。GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。

2.3半导体超晶格、量子阱材料

半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（MBE，MOCVD）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。

（1）Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。

GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管（HEMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEMT）器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58mW，功率增益6.4db；双异质结双极晶体管（HBT）的最高频率fmax也已高达500GHz，HEMT逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1.5μm分布反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。

虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄（～0.01μm）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年，就研制成功980nmInGaAs带间量子级联激光器，输出功率达5W以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。

为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年InGaAs／InAIAs／InP量子级联激光器（QCLs）发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。

目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英国卡迪夫的MOCVD中心，法国的PicogigaMBE基地，美国的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。

（2）硅基应变异质结构材料。

硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米Si／SiO2），硅基SiGeC体系的Si1－yCy/Si1－xGex低维结构，Ge／Si量子点和量子点超晶格材料，Si／SiC量子点材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。

另一方面，GeSi／Si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz，HBT最高振荡频率为160GHz，噪音在10GHz下为0.9db，其性能可与GaAs器件相媲美。

尽管GaAs／Si和InP／Si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。最近，Motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜，取得了突破性的进展。

2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料

基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。

目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP，InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所MBE小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子点激光器，工作波长lμm左右，单管室温连续输出功率高达3.6～4W.特别应当指出的是我国上述的MBE小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1W时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外报道。

在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本NTT就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150K观察到栅控源－漏电流振荡；1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年Yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128Mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的应用方面迈出的关键一步。目前，基于量子点的自适应网络计算机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的研究也正在进行中。

与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组，在继利用MBE技术和SK生长模式，成功地制备了高空间有序的InAs／InAI（Ga）As／InP的量子线和量子线超晶格结构的基础上，对InAs／InAlAs量子线超晶格的空间自对准（垂直或斜对准）的物理起因和生长控制进行了研究，取得了较大进展。

王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组，基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术，成功地合成了诸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半导体氧化物纳米带，它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同，这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体，几乎无缺陷和位错；纳米线呈矩形截面，典型的宽度为20－300nm，宽厚比为5－10，长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系，可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的LarsSamuelson教授领导的小组，分别在SiO2／Si和InAs／InP半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。

低维半导体结构制备的方法很多，主要有：微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法，应变自组装量子线、量子点材料生长技术，图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术，单原子操纵和加工技术，纳米结构的辐照制备技术，及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前发展的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术，以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。

2.5宽带隙半导体材料

宽带隙半导体材主要指的是金刚石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶体等，特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外，III族氮化物也是很好的光电子材料，在蓝、绿光发光二极管（LED）和紫、蓝、绿光激光器（LD）以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年GaN材料的P型掺杂突破，GaN基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前，GaN基蓝绿光发光二极管己商品化，GaN基LD也有商品出售，最大输出功率为0.5W.在微电子器件研制方面，GaN基FET的最高工作频率（fmax）已达140GHz，fT=67GHz，跨导为260ms／mm；HEMT器件也相继问世，发展很快。此外，256×256GaN基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是，日本Sumitomo电子工业有限公司2000年宣称，他们采用热力学方法已研制成功2英寸GaN单晶材料，这将有力的推动蓝光激光器和GaN基电子器件的发展。另外，近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带InAsN，InGaAsN，GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重视，这是因为它们在长波长光通信用高T0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。

以Cree公司为代表的体SiC单晶的研制已取得突破性进展，2英寸的4H和6HSiC单晶与外延片，以及3英寸的4HSiC单晶己有商品出售；以SiC为GaN基材料衬低的蓝绿光LED业已上市，并参于与以蓝宝石为衬低的GaN基发光器件的竟争。其他SiC相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度高，且价格昂贵。

II－VI族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美国3M公司成功地解决了II－VI族的P型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3M公司利用MBE技术率先宣布了电注入（Zn，Cd）Se／ZnSe兰光激光器在77K（495nm）脉冲输出功率100mW的消息，开始了II－VI族兰绿光半导体激光（材料）器件研制的高潮。经过多年的努力，目前ZnSe基II－VI族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时，但离使用差距尚大，加之GaN基材料的迅速发展和应用，使II－VI族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题，仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。

宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料，所谓大失配

异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系，如GaN／蓝宝石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生，极大地影响着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱，必将大大地拓宽材料的可选择余地，开辟新的应用领域。

目前，除SiC单晶衬低材料，GaN基蓝光LED材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料发展的关键问题，如GaN衬底，ZnO单晶簿膜制备，P型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生长与N型掺杂，II－VI族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。

3光子晶体

光子晶体是一种人工微结构材料，介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度，来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙，与半导体材料的电子能隙相似，并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播，相应光子晶体光带隙（禁带）能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏，那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模，光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高Q值的单模微腔，从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有：聚焦离子束（FIB）结合脉冲激光蒸发方法，即先用脉冲激光蒸发制备如Ag/MnO多层膜，再用FIB注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体；基于功能粒子（磁性纳米颗粒Fe2O3，发光纳米颗粒CdS和介电纳米颗粒TiO2）和共轭高分子的自组装方法，可形成适用于可光范围的三维纳米颗粒光子晶体；二维多空硅也可制作成一个理想的3－5μm和1.5μm光子带隙材料等。目前，二维光子晶体制造已取得很大进展，但三维光子晶体的研究，仍是一个具有挑战性的课题。最近，Campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体，取得了进展。

4量子比特构建与材料

随着微电子技术的发展，计算机芯片集成度不断增高，器件尺寸越来越小（nm尺度）并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制，而无法满足人类对更大信息量的需求。为此，发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年Shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥Rivest，Shamir和Adlman（RSA）体系，引起了人们的广泛重视。

所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计的装置，理论上讲它比传统计算机有更快的运算速度，更大信息传递量和更高信息安全保障，有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多，其中最引人注目的是Kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码，通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算，自旋测量是由自旋极化电子电流来完成，计算机要工作在mK的低温下。

这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外，为了避免杂质对磷核自旋的干扰，必需使用高纯（无杂质）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29Si）的硅单晶；减小SiO2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输，处理和存储过程中可能因环境的耦合（干扰），而从量子叠加态演化成经典的混合态，即所谓失去相干，特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。

5发展我国半导体材料的几点建议

鉴于我国目前的工业基础，国力和半导体材料的发展水平，提出以下发展建议供参考。

5.1硅单晶和外延材料硅材料作为微电子技术的主导地位

至少到本世纪中叶都不会改变，至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片，然而都未形成稳定的批量生产能力，更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力，首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发，在“十五”的后期，争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我国应有8～12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力；更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外，硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视，只有这样，才能逐步改观我国微电子技术的落后局面，进入世界发达国家之林。超级秘书网

5.2GaAs及其有关化合物半导体单晶材料发展建议

GaAs、InP等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后，没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下，并争取企业介入，建立我国自己的研究、开发和生产联合体，取各家之长，分工协作，到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的，到“十五”末应形成以4英寸单晶为主2－3吨／年的SI－GaAs和3－5吨／年掺杂GaAs、InP单晶和开盒就用晶片的生产能力，以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年，应当实现4英寸GaAs生产线的国产化，并具有满足6英寸线的供片能力。

5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构材料的建议

（1）超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色（超高亮度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，加强MBE和MOCVD两个基地的建设，引进必要的适合批量生产的工业型MBE和MOCVD设备并着重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP，GaN基蓝绿光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料体系的实用化研究是当务之急，争取在“十五”末，能满足国内2、3和4英寸GaAs生产线所需要的异质结材料。到2010年，每年能具备至少100万平方英寸MBE和MOCVD微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。

宽带隙高温半导体材料如SiC，GaN基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及ZnO等材料也应择优布点，分别做好研究与开发工作。

（2）一维和零维半导体材料的发展设想。基于低维半导体微结构材料的固态纳米量子器件，目前虽然仍处在预研阶段，但极其重要，极有可能触发微电子、光电子技术新的革命。低维量子器件的制造依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步，而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。因而，集中人力、物力建设我国自己的纳米科学与技术研究发展中心就成为了成败的关键。具体目标是，“十五”末，在半导体量子线、量子点材料制备，量子器件研制和系统集成等若干个重要研究方向接近当时的国际先进水平；2010年在有实用化前景的量子点激光器，量子共振隧穿器件和单电子器件及其集成等研发方面，达到国际先进水平，并在国际该领域占有一席之地。可以预料，它的实施必将极大地增强我国的经济和国防实力。

半导体论文篇(2)

在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带eg2.3ev的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。

关键词

半导体材料;多晶硅;单晶硅;砷化镓;氮化镓

1前言

半导体材料是指电阻率在107Ωcm10-3Ωcm，界于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料[1]，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。电子信息产业规模最大的是美国和日本，其2002年的销售收入分别为3189亿美元和2320亿美元[2]。近几年来，我国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，2002年销售收入以1.4亿人民币居全球第3位，比上年增长20，产业规模是1997年的2.5倍，居国内各工业部门首位[3]。半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。

半导体材料的种类繁多，按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体;按组成元素分为一元、二元、三元、多元等;按晶态可分为多晶、单晶和非晶;按应用方式可分为体材料和薄膜材料。大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料，这些称为“体材料”;相对应的“薄膜材料”是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的，具有显著减少“体材料”难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结，能用于制造三维电路等优点。许多新型半导体器件是在薄膜上制成的，制备薄膜的技术也在不断发展。薄膜材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。

在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓、砷化铟、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料;而将宽禁带eg2.3ev的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料[4]。上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。本文沿用此分类进行介绍。

2主要半导体材料性质及应用

材料的物理性质是产品应用的基础，表1列出了主要半导体材料的物理性质及应用情况[5]。表中禁带宽度决定发射光的波长，禁带宽度越大发射光波长越短蓝光发射;禁带宽度越小发射光波长越长。其它参数数值越高，半导体性能越好。电子迁移速率决定半导体低压条件下的高频工作性能，饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能。

硅材料具有储量丰富、价格低廉、热性能与机械性能优良、易于生长大尺寸高纯度晶体等优点，处在成熟的发展阶段。目前，硅材料仍是电子信息产业最主要的基础材料，95以上的半导体器件和99以上的集成电路ic是用硅材料制作的。在21世纪，可以预见它的主导和核心地位仍不会动摇。但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频高功率器件上的应用。

砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高频、高速和光电性能，并可在同一芯片同时处理光电信号，被公认是新一代的通信用材料。随着高速信息产业的蓬勃发展，砷化镓成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛，并占据不可取代的重要地位。

gan材料的禁带宽度为硅材料的3倍多，其器件在大功率、高温、高频、高速和光电子应用方面具有远比硅器件和砷化镓器件更为优良的特性，可制成蓝绿光、紫外光的发光器件和探测器件。近年来取得了很大进展，并开始进入市场。与制造技术非常成熟和制造成本相对较低的硅半导体材料相比，第三代半导体材料目前面临的最主要挑战是发展适合gan薄膜生长的低成本衬底材料和大尺寸的gan体单晶生长工艺。

主要半导体材料的用途如表2所示。可以预见以硅材料为主体、gaas半导体材料及新一代宽禁带半导体材料共同发展将成为集成电路及半导体器件产业发展的主流。

3半导体材料的产业现状

3.1半导体硅材料

3.1.1多晶硅

多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原料，主要生产方法为改良西门子法。目前全世界每年消耗约18000t25000t半导体级多晶硅。2001年全球多晶硅产能为23900t，生产高度集中于美、日、德3国。美国先进硅公司和哈姆洛克公司产能均达6000t/a，德国瓦克化学公司和日本德山曹达公司产能超过3000t/a，日本三菱高纯硅公司、美国memc公司和三菱多晶硅公司产能超过1000t/a，绝大多数世界市场由上述7家公司占有。2000年全球多晶硅需求为22000t，达到峰值，随后全球半导体市场滑坡;2001年多晶硅实际产量为17900t，为产能的75左右。全球多晶硅市场供大于求，随着半导体市场的恢复和太阳能用多晶硅的增长，多晶硅供需将逐步平衡。

我国多晶硅严重短缺。我国多晶硅工业起步于50年代，60年代实现工业化生产。由于技术水平低、生产规模太小、环境污染严重、生产成本高，目前只剩下峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂2个厂家生产多晶硅。2001年生产量为80t[7]，仅占世界产量的0.4，与当今信息产业的高速发展和多晶硅的市场需求急剧增加极不协调。我国这种多晶硅供不应求的局面还将持续下去。据专家预测，2005年国内多晶硅年需求量约为756t，2010年为1302t。

峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂1999年多晶硅生产能力分别为60t/a和20t/a。峨嵋半导体材料厂1998年建成的100t/a规模的多晶硅工业性生产示范线，提高了各项经济技术指标，使我国拥有了多晶硅生产的自主知识产权。该厂正在积极进行1000t/a多晶硅项目建设的前期工作。洛阳单晶硅厂拟将多晶硅产量扩建至300t/a，目前处在可行性研究阶段。

3.1.2单晶硅

生产单晶硅的工艺主要采用直拉法cz、磁场直拉法mcz、区熔法fz以及双坩锅拉晶法。硅晶片属于资金密集型和技术密集型行业，在国际市场上产业相对成熟，市场进入平稳发展期，生产集中在少数几家大公司，小型公司已经很难插手其中。

目前国际市场单晶硅产量排名前5位的公司分别是日本信越化学公司、德瓦克化学公司、日本住友金属公司、美国memc公司和日本三菱材料公司。这5家公司2000年硅晶片的销售总额为51.47亿元，占全球销售额的70.9，其中的3家日本公司占据了市场份额的46.1，表明日本在全球硅晶片行业中占据了主导地位[8]。

集成电路高集成度、微型化和低成本的要求对半导体单晶材料的电阻率均匀性、金属杂质含量、微缺陷、晶片平整度、表面洁净度等提出了更加苛刻的要求详见文献[8]，晶片大尺寸和高质量成为必然趋势。目前全球主流硅晶片已由直径8英寸逐渐过渡到12英寸晶片，研制水平达到16英寸。

我国单晶硅技术及产业与国外差距很大，主要产品为6英寸以下，8英寸少量生产，12英寸开始研制。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，我国单晶硅产量逐年增加。据统计，2001年我国半导体硅材料的销售额达9.06亿元，年均增长26.4。单晶硅产量为584t，抛光片产量5183万平方英寸，主要规格为3英寸6英寸，6英寸正片已供应集成电路企业，8英寸主要用作陪片。单晶硅出口比重大，出口额为4648万美元，占总销售额的42.6，较2000年增长了5.3[7]。目前，国外8英寸ic生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建的f8英寸ic生产线有近10条之多，对大直径高质量的硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本依赖进口，我国硅晶片的技术差距和结构不合理可见一斑。在现有形势和优势面前发展我国的硅单晶和ic技术面临着巨大的机遇和挑战。

我国硅晶片生产企业主要有北京有研硅股、浙大海纳公司、洛阳单晶硅厂、上海晶华电子、浙江硅峰电子公司和河北宁晋单晶硅基地等。有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40。2000年建成国内第一条可满足0.25μm线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线;在北京市林河工业开发区建设了区熔硅单晶生产基地，一期工程计划投资1.8亿元，年产25t区熔硅和40t重掺砷硅单晶，计划2003年6月底完工;同时承担了投资达1.25亿元的863项目重中之重课题“12英寸硅单晶抛光片的研制”。浙大海纳主要从事单晶硅、半导体器件的开发、制造及自动化控制系统和仪器仪表开发，近几年实现了高成长性的高速发展。

3.2砷化镓材料

用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的lec法液封直拉法和hb法水平舟生产法。国外开发了兼具以上2种方法优点的vgf法垂直梯度凝固法、vb法垂直布里支曼法和vcz法蒸气压控制直拉法，成功制备出4英寸6英寸大直径gaas单晶。各种方法比较详见表3。

移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以30的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的7080;美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产gaas单晶30t。美国axt公司是世界最大的vgf

gaas材料生产商[8]。世界gaas单晶主要生产商情况见表4。国际上砷化镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35以上的市场份额。研制和小批量生产水平达到8英寸。

我国gaas材料单晶以2英寸3英寸为主，

4英寸处在产业化前期，研制水平达6英寸。目前4英寸以上晶片及集成电路gaas晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原材料为砷和镓。虽然我国是砷和镓的资源大国，但仅能生产品位较低的砷、镓材料6n以下纯度，主要用于生产光电子器件。集成电路用砷化镓材料的砷和镓原料要求达7n，基本靠进口解决。

国内gaas材料主要生产单位为中科镓英、有研硅股、信息产业部46所、55所等。主要竞争对手来自国外。中科镓英2001年起计划投入近2亿资金进行砷化镓材料的产业化，初期计划规模为4英寸6英寸砷化镓单晶晶片5万片8万片，4英寸6英寸分子束外延砷化镓基材料2万片3万片，目前该项目仍在建设期。目前国内砷化镓材料主要由有研硅股供应，2002年销售gaas晶片8万片。我国在努力缩小gaas技术水平和生产规模的同时，应重视具有独立知识产权的技术和产品开发，发展我国的砷化镓产业。

3.3氮化镓材料

gan半导体材料的商业应用研究始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的特性一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。但gan的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得了商业应用的实质进步和突破。由于gan半导体器件在光电子器件和光子器件领域广阔的应用前景，其广泛应用预示着光电信息乃至光子信息时代的来临。

2000年9月美国kyma公司利用aln作衬底，开发出2英寸和4英寸gan新工艺;2001年1月美国nitronex公司在4英寸硅衬底上制造gan基晶体管获得成功;2001年8月台湾powdec公司宣布将规模生产4英寸gan外延晶片。gan基器件和产品开发方兴未艾。目前进入蓝光激光器开发的公司包括飞利浦、索尼、日立、施乐和惠普等。包括飞利浦、通用等光照及汽车行业的跨国公司正积极开发白光照明和汽车用gan基led发光二极管产品。涉足gan基电子器件开发最为活跃的企业包括cree、rfmicrodevice以及nitronex等公司。

目前，日本、美国等国家纷纷进行应用于照明gan基白光led的产业开发，计划于2015年-2020年取代白炽灯和日光灯，引起新的照明革命。据美国市场调研公司strstegiesunlimited分析数据，2001年世界gan器件市场接近7亿美元，还处于发展初期。该公司预测即使最保守发展，2009年世界gan器件市场将达到48亿美元的销售额。

因gan材料尚处于产业初期，我国与世界先进水平差距相对较小。深圳方大集团在国家“超级863计划”项目支持下，2001年与中科院半导体等单位合作，首期投资8千万元进行gan基蓝光led产业化工作，率先在我国实现氮化镓基材料产业化并成功投放市场。方大公司已批量生产出高性能gan芯片，用于封装成蓝、绿、紫、白光led，成为我国第一家具有规模化研究、开发和生产氮化镓基半导体系列产品、并拥有自主知识产权的企业。中科院半导体所自主开发的gan激光器2英寸外延片生产设备，打破了国外关键设备部件的封锁。我国应对大尺寸gan生长技术、器件及设备继续研究，争取在gan等第三代半导体产业中占据一定市场份额和地位。

4结语

不可否认，微电子时代将逐步过渡到光电子时代，最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年，硅材料的技术和产业发展将走向极限，第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。我国政府决策部门、半导体科研单位和企业在现有的技术、市场和发展趋势面前应把握历史机遇，迎接挑战。

参考文献

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[2]http//bjjc.org.cn/10zxsc/249.htm.我国电子信息产业总规模居世界第三.北方微电子产业基地门户网

[3]蓬勃发展的中国电子信息产业.信息产业部电子信息产品管理司司长张琪在“icchina2003”上的主题报告

[4]梁春广.gan-第三代半导体的曙光.新材料产业，2000，53136

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[6]万群，钟俊辉.电子信息材料[m].北京冶金工业出版社，199012

[7]中国电子工业年鉴编委会.中国电子工业年鉴2002[m].

半导体论文篇(3)

LED小巧轻量、驱动电压低、全彩色、寿命长、效率高、耐振动、易于控光等特性，为设计用于不同场所和目的的照明系统提供了优越条件。人们习惯于看日光下的东西，对于通用照明来说，人们需要的主要是接近太阳光质量的光源，所以白光LED是半导体照明科技的重要指标。由于单只LED功率小，光亮度低，不宜单独使用，为此必须将多个LED组装在一起设计成为实用的LED照明系统。但目前白光LED与通用照明的要求还有一定的距离，还存在诸多技术与成本问题急需解决。 1、半导体照明灯具系统的主要技术概况 1）灯具系统的热量管理 一般常称LED为冷光源，这是因为LED发光原理是电子经过复合直接发出光子，而不需要热的过程。但由于焦耳热的存在，LED在发光的同时也有热量伴随，而且对于大功率和多个LED应用的场合，热量积少成多而不能小觑，LED不同于白炽灯、荧光灯等传统照明光源，过高的温度会缩短，甚至终止其使用寿命。而且LED是温度敏感器件，当温度上升时，其效率急剧下降，所以系统结构设计及散热技术开发也是LED应用需面对的课题。由于强制空气冷却通常在光源中是不可取的，所以随着输入电功率的提高，散热片和其它增强自然对流冷却的方法就在 LED 灯和光源设计中发挥日益重要的作用。 2）提高显色性 目前白光LED普遍使用发蓝光LED叠加由蓝光激发的发黄光的钇铝石榴石(YAG)荧光粉，合成为白光。由于其发光光谱中仅含蓝、黄这两个波谱，所以存在色温偏高、显色指数偏低的问题，不符合普通照明要求。人眼对色差的敏感性大大高于对光强弱的敏感性，对照明而言，光源的显色性往往比发光效率更重要。所以加入适量发红光的荧光粉并能保持较高发光效率是LED白光照明中的一个重要的课题。 3）灯具系统的二次光学设计 传统灯具长期以白炽灯、荧光灯光源为参照物来决定灯具的光学和形状的标准，因此LED灯具系统应考虑摒弃传统灯具加上LED发光模块的组装方式，充分考虑其光学特性，为LED光源专门设计不同的灯具。光学系统设计内容主要包括如下几个方面：① 根据照明对象、光通量的需求，决定光学系统的形状、LED的数目和功率的大小；② 将若干个LED发光管组合设计成点光源、环形光源或面光源的“二次光源”，根据组合成的二次光源，计算照明光学系统；③ 构成照明光学系统设计的“二次光源”上的每只LED管子配光分布控制十分重要。 由于LED发出的光束集中，更易于控制，且不需要反射器聚光，有利于减少灯具的深度。例如，利用平面镜光学系统，可以只用1～2个LED就可照亮很大的表面，而灯具深度很薄；而利用光导技术，LED直接装于光导管旁，可大大减少光源及其它组件占用的体积，制成超薄的灯具。 4）电源、电路与灯具的集成 为LED 设计灯具，需要注意白炽灯和荧光灯灯具设计师很少需要关注的一个问题就是电源。大多数白炽灯直接由交流电线供电，因此不需要电源。荧光灯使用镇流器来完成电源的功能。但LED需要专门的电源与驱动电路与其配套，在设计灯具的时候应考虑电源与灯具系统集成。 半导体照明和太阳能发电的最大特点都是环保、节能、长寿命、安全。太阳能发电和半导体照明相结合完成光电到电光的转换，是最佳的组合。以太阳电池发电作为电源的自然能利用型独立半导体照明灯具，节能、环保、长寿命，还省去了相关的电线及配套设施，拥有巨大的市场空间。 5）提高系统的可靠性 LED光源有人称它谓长寿灯，作为固体发光器件，其理论寿命在10万小时以上，其使用寿命远比传统光源要长，因此在一些不易更换维护的场合使用，其维护成本可大为降低。但是目前许多实际应用中却无法看到这项优点，反而给使用者看到的是光衰严重，且寿命短，根本用不到一万小时就坏了，这是因为大家所使用的LED是电子工业界最常使用的指示功能的Ф3～Ф5 mm LED

半导体论文篇(4)

关键词：半导体器件；物理；教学改革

半导体器件物理是微电子学、电子科学与技术等专业的重要专业基础课程，也是应用型本科院校培养新兴光电产业所需的应用技术人才必备的理论与实践基础课程。该课程是连接半导体材料性质和器件应用的桥梁学科，在新兴产业应用技术人才的知识结构中具有重要的基础地位。因此，探讨教学中存在的问题，改革教学的方式方法具有重要意义。

一、课堂教学中产生的问题及原因分析

1.学生听课效率低，学习兴趣淡薄，考试成绩低

以某大学光电行业方向工科专业近三年半导体器件物理考试成绩分布情况为例，表1中近三年学生成绩均显示出60分左右的人数最多，以60分为原点，其高分和低分两侧的人数呈现出逐渐降低的正态分布。从表1中还可以看出，成绩低分人数逐年增多，成绩偏离理想状况较多。

2.针对问题分析原因

导致表1结果的原因有以下三方面：

（1）学生的物理基础参差不齐，知识结构存在断层

近年来，由于高考制度的改革，部分学生参加高考时未选报物理，物理仅作为会考科目使得相当一部分高中学生轻视物理的学习。当学生进入大学，有些专业大学物理成为必修课，由于学生高中物理基础差别很大，因此，同一班级的学生物理学习能力就表现得参差不齐。

对于一般工科专业的学生（包括面向新兴光电产业的工科专业）来说，他们大二或大三开始学习半导体器件物理课程（或半导体物理课程）时，他们的物理基础只有在高中学过的普通物理和大学学过大学物理，其内容也仅涉及经典物理学中的力学、热学、电学和光学的基本规律，而近代物理中的实物粒子的波粒二象性、原子中电子分布和原子跃迁的基本规律、微观粒子的薛定谔方程和固体物理的基本理论均未涉及。半导体器件物理课程的接受对象，不仅在物理基础上参差不齐，而且在物理知识结构上还存在断层，这给该课程的教和学增加了难度。

另外，即使增加学习该门课程所必需的近代物理、量子物理初步知识和固体物理的基础内容，但由于课程课时的限制，也决定了该课程在学习时存在较大的知识跨度，很多学生难以跟上进度。

（2）课程理论性强，较难理解的知识点集中

半导体器件物理课程以半导体材料的基本性质和应用为基本内容，内容编排上从理想本征半导体的性质和半导体的掺杂改性，到P型半导体和N型半导体结合形成半导体器件的核心单元，再到各种PN结的设计和控制，采取层层推进的方式，逻辑严密，理论性强，对学生的要求也高，每一部分的核心内容都要扎实掌握才能跟上学习的进度。同时，在各章内容讲解过程中几乎都有若干较难的知识点，如本征半导体性质部分的有效质量、空穴的概念、能带的形成、导带和价带的概念等；半导体掺杂改性部分的施主、受主、施主能级、受主能级、半导体中的载流子分布规律、平衡载流子和非平衡载流子以及载流子的漂移和扩散运动；简单PN结部分的平衡PN结、非平衡PN结、PN结的能带和工作原理；不同专业在PN结的设计和控制这部分会根据所设专业选取不同的章节进行学习，面向光电行业的本科专业则通常选取半导体的光学性质和发光这部分来讲授，该部分包含半导体的跃迁类型，以及半导体光生伏特效应和发光二极管等的工作原理。这些知识点分布集中，环环相套，步步递进，因此理解难度较大。

（3）学习态度不端正的现象普遍存在

近几年，在社会大环境的影响下，学习态度不端正现象在本科各专业学生中普遍存在。无故迟到旷课情况经常发生，作业抄袭现象严重，学生独立思考积极性差。电子产品的普及也严重影响到了学生上课的积极性，很多学生成了手机控，即使坐在课堂上也频频看手机、上网。有些学生上课连课本都不带，更谈不上用记录本记录重点、难点。特别是半导体器件物理这门课程涉及的知识点密集，重点、难点较多，知识连贯性要求高，如果一些知识点漏掉了，前后可能就连贯不起来，容易使疑难问题堆积起来，对于不认真听讲的部分学生来说，很快就跟不上进度了。另外，学生畏难情绪较严重，课下也不注意复习答疑，迎难而上的精神十分少见。俗话说，“师傅领进门，修行在个人。”在课时紧张、学生积极性差、课程理论性强等多重因素影响下，教师的单方面努力很难提高课堂教学效率。

二、改进方法的探讨

针对教学过程中发现的问题，本文从教学方法和教学手段两个方面入手来探讨该课程教学的改进。

1.教学方法的改革

半导体器件物理课程教学改革以建设完整的半导体理论体系和实践应用体系为目标，一方面，着重在教学观念、教学内容、教学方法、教师队伍、教学管理和教材方面进行建设和改革，形成适合应用型本科专业学生的课程体系。另一方面，我国本科院校正处于教育的转型发展时期，围绕应用型人才培养目标，按照“专业设置与产业需求相对接、课程内容与职业标准相对接、教学过程与生产过程相对接”的原则，半导体器件物理课程改革重视基础知识和基本技能教学，力争构建以能力为本的课程体系，做到与时俱进。本课程改革具体体现在以下六个方面：

（1）转变教学观念

改变传统向学生灌输理论知识的教学观念，以学习与新兴行业相关的基础知识和关键应用技术为导向，确定该课程在整个专业课程体系中承上启下的基础性地位，在教学观念上采取不求深，但求透的理念。

（2）组织教学内容

为构建以能力为本的课程体系，本课程改革在重视基础知识和基本技能的教学、合理构建应用型人才的知识体系的同时，力争使学生了解半导体器件制作和应用的职业标准及其发展的热点问题，并积极实现“产学研”一体化的教学模式，故此本课程改革分几个层次组织教学内容。

第一层次为基础知识铺垫。为解决学生知识结构不完整的问题，在讲授半导体器件物理之前要进行固体物理学课程知识的铺垫，还要增加近论物理学知识，如原子物理和量子力学的知识，为学生构建完整的知识框架，降低认知落差。

第二层次为半导体物理基本理论，也是本课程的主体部分。包括单一半导体材料的基本性质、半导体PN结的工作原理、常见半导体结构的工作原理和半导体的光电及发光现象和应用。

第三层次为课内开放性实验。在理工科学生必修的基础物理实验项目（如“电阻应变传感器”、“太阳电池伏安特性测量”、“光电传感器基本特性测量”、“霍尔效应及其应用”等）的基础上，结合专业方向设置若干实验让学生了解半导体电子和光电器件的类型、结构、工作原理及制作的工艺流程以及职业要求和标准，还有行业热点问题，激发其学习兴趣，提高动手能力和实践能力。

第四层次为开展课题式实践教育，实现“产学研”一体化。为解决传统教学理论和实践脱节问题，以基础物理实验项目和针对各专业方向设置的与半导体器件应用相关的实验项目为实践基础，开展大学生科技创新活动，鼓励学生利用课余时间进入实验室和工厂企业，利用已学理论对行业热点问题进行思考和探究，加强实践教学。

（3）调整教学方法

一方面，要正确处理物理模型和数学分析的关系，不追求公式推导的严密性，强调对物理结论的正确理解和应用。另一方面，充分利用现代化的教学设施和手段，变抽象为具体，化枯燥为生动，采用讨论式、启发式和探究式教学，调动学生积极性和主动性。

（4）建设教学队伍

对国内知名院校的相关专业进行考察和调研，学习先进教学理念和教学方法，邀请国内外相关专业的专家进行讲座，邀请企业高级技术人才和管理人才作为兼职教授来为学生讲授当前最前沿、最先进的技术及产品，并参与教学大纲及教学内容的修订。另外，鼓励教师团队充分利用产学研践习的机会深入企业，提高教师队伍的实践经验和综合素质，为培养双师型教师打下基础。

（5）完善教材体系

教材是保证教学质量的重要环节，也是提高专业教学水平的有效方法。针对理工科专业特色方向及学生培养的目标，除选用经典的国家级规划教材――《半导体物理学》以外，还组织精干力量编写专业特色方向的相关教材，以形成完善的半导体理论和实践相结合的教材体系，在教材中融入学校及专业特色，注重理论和实践相结合，增加案例分析，体现学以致用。

（6）加强教学管理

良好的教学管理是提高教学质量的必要手段。首先根据学生特点以及本课程的教学目标合理制订教学大纲及教学计划。在授课过程中充分发挥学生主体作用，积极与学生交流，了解学生现状，建立学生评价体系，改进教学方法、教学手段及教学内容等，提高教学质量。

2.教学手段改革

（1）采用类比的教学方法

课堂上将深奥理论知识与现实中可比事物进行类比，让学生易于理解基本理论。例如，在讲半导体能带中电子浓度计算时，将教室中一排排桌椅类比为能带中的能级，将不规则就座的学生类比为占据能级的电子，计算导带中电子的浓度类比为计算教室中各排上学生数量总和再除以教室体积。让学生从现实生活中找出例子与抽象的半导体理论进行形象化类比，帮助学生理解半导体的基本概念和理论。

（2）采用理论实践相结合的方法

在教学中时刻注意理论联系实际的教学方法，例如，根据学生专业方向，在讲述宽带隙半导体材料的发光性能时，给学生总结介绍了LED芯片材料的类型和对应的发光波长，让学生体会到材料性质是器件应用的基础。

（3）构建网上学习系统

建立纸质、网络教学资源的一体化体系，及时更新、充实课程资源与信息，通过网络平台建设，实现课程的网络辅助教学和优秀资源共享。这些资源包括与本课程相关的教学大纲、教材、多媒体课件、教学示范、习题、习题答案、参考文献、学生作业及半导体行业发展前沿技术讲座等。

（4）开展综合创新的实践

充分利用现有的实验条件，为学生提供实践条件。同时积极开拓校外实践基地，加强校企合作，为学生实习、实践提供良好的平台，使课程教学和实践紧密结合。鼓励学生根据所学内容，与教师科研结合，申请大学生创新项目，以提高学生实践创新能力及应用能力。

（5）改革考核体制

改变传统以闭卷考试为主的考核方式，在考核体制上采取闭卷、讨论、答辩和小论文等多种评价方式，多角度衡量、综合评定教学效果。

参考文献：

[1]刘秋香，王银海，赵韦人，等.“半导体物理学”课程教学实践与探索[J].广东工业大学学报（社会科学版），2010（10）：87-88，94.

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[3]王印月，赵猛.改革半导体课程教学融入研究性学习思想[J].高等理科教育，2003，47（1）：69-71.

半导体论文篇(5)

关键词：沟通漏斗;半导体物理;交流沟通

中图分类号：G642.41 文献标志码：A 文章编号：1674-9324（2015）43-0143-02

对于教学过程，师生之间的交往，存在着“沟通漏斗”现象，即一个人虽然有十分丰富的想法，当他与别人交流时，只能说出心中所想的80%，而对方听到最多的也只能是60%，实际上当时能够听懂和理解的却只有40%，而最终能够记住的差不多仅有20%。心中的想法虽然很完美，但听者的效果却差之千里，这就是“沟通漏斗”效应。

“沟通漏斗”现象是人与人之间交流时客观存在的障碍，这种障碍无法彻底消除，只能尽可能地减少，它存在于我们日常生活的各个方面，无论是口头还是书面语言的交流，都有“沟通漏斗”影响着信息的接收，且在教学活动中显得尤为突出，教师辛辛苦苦备课、授课，学生接受效果甚差。以《半导体物理》为例，该课程公式推导复杂、知识点多、涉及面广、理论内容深奥、学科性强，对学生的数学物理基础知识要求很高。由于半导体物理枯燥乏味，理论公式推导烦琐复杂，尤其受到这一“沟通漏斗”效应的影响。这就致使学生在学习过程中常常茫然不知所措，久而久之丧失了对该课程的学习兴趣，使得教学质量低下。因此，有必要采取适当的方法或途径，来克服这一“漏斗”现象。

一、了解半导体物理的发展史，明确课程性质

《半导体物理》课程是微电子学专业的一门核心专业基础课程，是连接半导体行业的桥梁。当前，半导体行业已成为国民经济的重要组成部分，它与国家安全和国民经济紧密地联系在一起，在世界各国综合国力的较量中占据这及其重要的位置，已成为国家重要战略产业[1]。半导体物理是对半导体材料的基本性能和内在机理进行研究，是半导体行业的一门基础专业课程。其发展史可简述为：30年代初，英国物理学家威尔逊（H. A. Wilson）将固体能带理论用于判据区分导体、半导体和绝缘体，奠定了半导体物理的理论基础。1947年，美国贝尔实验室的巴丁（J. Bardeen）、肖克利（W. Shockley）和布拉顿（W. H. Brattain）发明了晶体管，开创了人类的硅时代，大大促进了半导体物理的发展。50年代，人们对半导体的能带结构、载流子的平衡和运输、光电特性、PN结合金属―半导体接触等做出理论解释，从而发展成一个较为完整的理论体系，促进了半导体技术和集成电路的飞速发展，逐渐形成了现代世界半导体产业。半导体物理的发展经历了从简单到复杂、从多维到低维、从有序到无序的过程，目前仍处在科学研究的前沿地位。

正所谓“工欲善其事，必先利其器”，因此，很有必要在第一次课上详细介绍半导体物理的发展史，消除学生对半导体物理的神秘感，加深学生对半导体物理课程性质的认识，这样就可以初步实现“感性沟通”。

二、注入行业前沿知识，培养学生的自主兴趣

人与人的交流沟通往往会决定人的兴趣，而兴趣能进一步促进交流沟通。以微电子市场为导向，结合行业领域的迅速发展，培养学生的自主兴趣[2]。兴趣可进一步增强学生的科学探索意识，培养学生“干一行，爱一行”的习惯，让学生逐渐深化课本知识，转变“让我学”到“我要学”的观念，升华专业素质，只有从被动学习转换为主动学习，学生才会认真听讲，遇到问题及时主动与老师沟通。

同时还要进一步加强与企业的合作，建立企业实践教学基地。通过企业实习基地实践教学的建设与发展，形成了系统的培养学生具备半导体材料和器件等基本物理与电学属性的测试分析能力。在实践教学过程中，师生可针对某一具体的实例展开讨论，这样学生的兴趣和创造性能得到很大的激发，使他们能运用半导体物理理论知识去解决实际的问题，增强了他们学习的动力，做到学以致用。

三、形象化演示，数学软件MATLAB应用于《半导体物理》

“百闻不如一见”，做好形象化演示，化静为动，化抽象为具体，增加教学内容的直观性和启发性，对促进师生间的交流沟通、培养学生学习兴趣和提高课堂效率都能起到事半功倍的效果。由于半导体物理理论知识繁多，公式的数学推导过程烦琐，纯粹的理论“教学沟通”效果很不理想，学生难以理解和掌握，时间一长，学生的疑问就像滚雪球似的越来越大，随之难免会产生厌学情绪，进而产生恶性循环，使得师生之间难以继续“交流沟通”。随着电子计算机技术的迅速发展，一些专业软件，如商业数学软件MATLAB，得以快速开发并逐渐融入到《半导体物理》教学过程，比如利用matlab软件对PN结二极管电流与温度关系进行仿真模拟[3]，在这一过程中，学生对知识点有直观的了解，定量分析问题的能力就会提高，师生之间的沟通相应地更加顺畅。

四、课后及时交流与答疑

由于教师弹性工作制和学生课后生活空间私密性等原因，高校师生课后直接交流的机会受到很大的影响，久而久之师生之间的关系变得淡化与冷漠。因此，非常有必要加强师生课后的交流沟通与答疑。当下智能手机及电脑非常普及，这就使得师生之间可以第一时间沟通交流，如建立师生共享的QQ群或微信群，用于教学交流和网络答疑。大家可以在群里对半导体物理学习过程中所遇到的问题，畅所欲言，各抒己见，彼此学习，取长补短，相得益彰，共同进步和提高。

五、结束语

教与学是一个相互配合，交流沟通的过程，充分调动学生学习半导体物理课程的积极性，改善教学方法和教学手段，对于减小“沟通漏斗”具有十分重要的作用。

参考文献：

[1]王强.半导体物理的形象化教学[J].中国现代教育装备，2009，（1）：92-93.

半导体论文篇(6)

[关键词]20世纪；上半叶；中共党史；再评价

20世纪上半叶，党领导的民族独立和人民解放的革命实践之所以能够从曲折转向顺利，从失败走向成功，其主要原因是随着革命实践的发展，党对其所领导的民族独立和人民解放的革命实践在指导思想和制度及文化层面的变革面临的“什么是马克思主义？是否把马克思主义中国化？”、“在半殖民地半封建社会的基本国情下，党究竟应该领导什么性质的革命？怎样领导新民主主义革命？”等一系列新的重大而又关键的基本问题的认识，突破了阶级和时代的历史局限，有了全面而又深刻的新理解和新认识，并在此基础上，创立了与中国半殖民地半封建社会的基本国情相适应的中国化马克思主义指导思想和中国化社会变革理论，即思想和新民主主义理论，从而把民族独立和人民解放的革命实践引向了成功。

20世纪上半叶的中共党史，当以遵义会议为界，划分为前后两个阶段。

一、遵义会议以前，党领导的民族独立和人民解放的革命实践，从总体上讲，曲折多于顺利，坎坷多于平坦，失败多于成功

遵义会议以前，由于共产国际指导不当，加之阶级和时代的历史局限，党的几任中央主要负责人对党所领导的民族独立和人民解放的革命实践在指导思想和制度及文化层面的变革面临的“什么是马克思主义？是否把马克思主义中国化？”、“在半殖民地半封建社会的基本国情下，党究竟应该领导什么性质的革命？怎样领导新民主主义革命？”等一系列新的重大而又关键的基本问题，其认识有很大片面性，有的甚至走向两个极端，结果导致其所选择的指导思想，特别是选择的制度变革现实目标、制度变革的方式和手段、制度变革突破口和战略基地、制度变革的领导力量、制度变革的动力和依靠力量、革命性质、革命对象和根本任务等，严重脱离了中国半殖民地半封建社会的基本国情，以此指导下的革命实践，具有很大盲目性和风险性。党在这一阶段的历史，从总体上讲，曲折多于顺利，坎坷多于平坦，失败多于成功。

中国共产党是中国工人阶级的先锋队，由这一阶级属性决定 ，从代表中国工人阶级的生存发展要求和根本利益出发，党成立之初所选择的指导思想和制度变革现实目标，就是马列主义和经典社会主义共产主义及其革命实践。这在党的“一大”制定的第一个纲领和通过的第一个《决议》中讲得很清楚。在 “一大” 纲领和《决议》的指导下，从 1922年 1月到 1923年 2月，中国出现了党领导下的第一次工人运动高潮。“二・七”惨案以后，第一次工人运动由高潮转入低潮。失败的革命实践证明，党成立之初，在指导思想的选择特别是在党领导的中国社会和制度变革现实目标、制度变革方式和手段、制度变革突破口和战略基地、革命动力和依靠力量、革命性质、革命对象和根本任务的选择上，是有其阶级和时代的历史局限性的。党成立时中国是半殖民地半封建社会，帝国主义和中华民族的矛盾与封建主义和人民大众的矛盾是当时中国社会的两大基本矛盾，其中帝国主义和中华民族的矛盾是最主要的矛盾，中国革命的基本任务是反帝反封建的民族民主革命，也即民族独立和人民解放。思想是行动的指南，理论是实践的先导。在中国半殖民地半封建社会的基本国情下，党要把民族独立和人民解放的革命实践引向成功，首先要创新思维方法，运用辨证唯物主义和历史唯物主义的认识工具，确立实事求是的正确思想路线，破除主观主义和教条主义，破除对共产国际和十月革命经验的迷信，明确认识近代以来中国半殖民地半封建社会基本国情和社会性质，深刻认识半殖民地半封建的中国社会在经济、政治、文化上的基本特点和主要矛盾以及中国革命的根本任务。与此同时，要通过理论创新，把马克思主义中国化，把科学社会主义中国化，即要创立中国化马克思主义指导思想和中国化科学社会主义，也即要在指导思想的宏观层面和主题的中观层面把马克思主义中国化。理论创新，不但要有新思路新设计，而且要有新材料新概念新范畴。即要对半殖民地半封建社会基本国情下的中国先进社会生产力和人民等概念的内涵和外延，进行理论创新，以便在革命实践中分清“谁是我们的朋友，谁是我们的敌人？”这个革命的首要问题，从而雄厚党的群众基础，拓展革命动力和依靠力量。先进社会生产力是相对于落后社会生产力而言的，人民是相对于敌人而言的。在半殖民地半封建的中国社会，构成先进社会生产力和人民的因素就不仅仅只是人数不多的工人阶级，相对于地主阶级来说，民族资产阶级也是构成中国先进社会生产力和人民的一部分因素；占人口80％以上的农民阶级也是构成人民的主体因素。先进的制度和文化是相对于落后的制度和文化而言的。经典社会主义共产主义制度和文化，相对于帝国主义法西斯主义的制度和文化而言，是先进的制度和文化；资本主义制度和文化，相对于封建专制主义制度和文化而言，是先进的制度和文化。深入研究马克思主义中国化的历史性重大课题及其涉及的一系列革命的基本问题，对尚处于幼年并受共产国际指导和控制的中国共产党来说，是力所不能及的。所以，党领导的第一次工人运动由高潮转入低潮是有其历史必然性的。

在列宁民族殖民地问题理论指导和共产国际帮助下，吸取 “二・七”惨案血的教训，处于幼年的中国共产党，对上述有关问题的认识，突破了阶级和时代的局限，产生了一个质的飞跃。党的“二大”《宣言》的发表、《最低纲领》的制定和《建立民主联合战线决议》的通过就是其标志。“二大”《宣言》揭示了中国社会半殖民地半封建性质，分析了工人阶级、幼稚的资产阶级、农民阶级在革命中的地位。“二大”制定的《最低纲领》首次在中国人民面前提出了彻底的反帝反封建的民主革命纲领，从而明确了现阶段的革命对象和根本任务。《建立民主联合战线决议》明确了建立革命统一战线的紧迫性和必要性。在“二大”《宣言》、《最低纲领》和《建立民主联合战线决议》的正确指导下，以第一次全国代表大会的召开为标志，以陈独秀为代表的中国共产党人和以孙中山为代表的资产阶级民主派实现了第一次国共合作，并进行了轰轰烈烈的北伐战争，沉重打击了帝国主义及其在中国的统治工具――北洋军阀。

陈独秀右倾机会主义是北伐战争中途夭折和第一次国共合作破裂的主观原因，其根本错误是在共产国际指导下全面放弃党在统一战线中的领导权，尤其是放弃党对武装力量的领导权。这实际上是在共产国际和“二次革命论”指导下，没搞清楚当时中国的基本国情，只主张现阶段先由资产阶级领导进行资产阶级革命。这也实际上是在革命的危急关头，对党所领导的民族独立和人民解放的革命实践在制度和文化层面的变革面临的一些基本问题的认识走向了右的极端。右倾机会主义指导下的革命实践遭到惨重失败。据有关资料记载，从1927年3月到 1928年上半年，至少有30万共产党员和工农群众被杀害。到 1932年，惨遭杀害的人数达 100万，党员人数由6万减少到 1万。党的组织遭到严重破坏；工会会员由300万减少到 7万，拥有1000多万会员的农民协会基本上被打散。

由于对屠杀政策的仇恨和对陈独秀右倾机会主义的愤怒，大革命失败以后，党内连续出现了三次“左”的错误，特别是王明第三次 “左”倾错误，几乎葬送了党领导的中国革命。王明自认为是百分之百的布尔什维克，无视中国半殖民地半封建社会基本国情，把马克思主义教条化，把共产国际和苏联十月革命经验神圣化，实际上是对党领导的民族独立和人民解放的革命实践在制度和文化层面的变革涉及的一些基本问题的认识走向了“左”的极端。在现阶段中国基本国情和社会性质问题上，夸大资本主义成分在中国社会经济中的比重；在革命对象问题上，主张整个地反对资产阶级乃至上层小资产阶级；在现阶段中国社会阶级阶层结构问题上，否认中间营垒的存在；在制度变革的突破口和战略根据地选择问题上，主张“城市中心论”；在革命形势和党的任务问题上，夸大南京政权统治的危机和革命主观力量的发展壮大，主张在全国范围采取“进攻路线”。为了推行“左”倾教条主义和冒险主义的政治纲领，在组织上实行宗派主义的“残酷斗争，无情打击”。王明“左”倾教条主义和冒险主义政治纲领指导下的革命实践遭到惨重失败，党的白区工作损失了100％，农村革命根据地损失99％。

失败的革命实践呼唤适合中国半殖民地半封建社会基本国情的中国化马克思主义指导思想的创立，失败的革命实践迫切需要适合中国半殖民地半封建社会基本国情的中国化社会变革理论的创立。

二、遵义会议以后，党领导的民族独立和人民解放的革命实践，从总体上讲，不但是顺利的、成功的、而且是辉煌的

遵义会议前后，以为代表的中国共产党人，根据中国半殖民地半封建社会的基本国情，对党领导的民族独立和人民解放的革命实践在指导思想和制度及文化层面的变革面临一系列关键而又重大的基本问题，诸如近代以来的中国基本国情和社会性质问题；半殖民地半封建的中国社会在经济、政治、文化上的基本特点、主要矛盾和根本任务问题；半殖民地半封建社会的严重危害和中华民族中国人民的深重灾难问题；辛亥革命的失败和中国共产党成立的历史必然性问题；殖民地半殖民地国家的民族民主革命问题；中国革命两步走问题；党的最低纲领问题；中国革命和共产国际关系问题；中国官僚买办资本与中小民族资本问题；中国农民问题；党领导的中国社会和制度变革现实目标的选择创新问题；变革方式和手段选择问题；党领导的革命性质问题；变革突破口和战略根据地的选择创新问题；农村环境下的军事战略战术问题；新民主主义革命的领导力量问题；革命的动力和依靠力量问题；革命的对象和根本任务问题；革命的前途问题等，特别是对“什么是马克思主义？是否把马克思主义中国化？”、“在半殖民地半封建社会的基本国情下，党究竟应该领导什么性质的革命？怎样领导新民主主义革命？”这些重大基本问题的认识，突破了阶级和时代的历史局限，有了全面而又深刻的新理解和新认识，并正确认识和处理了中国革命和共产国际的关系，在此基础上，创立了中国化马克思主义指导思想和中国化社会变革理论，即思想和新民主主义理论。以此指导下的革命实践，较少盲目性和风险性。党在这一阶段的历史，从总体上讲，不但是顺利的、成功的、而且是辉煌的。

北伐战争前夕，以为代表的中国共产党人继承党的“二大”和“四大”的中国化马克思主义理论成果，在早期革命实践中初步形成了新民主主义革命的基本思想，即无产阶级领导农民及其他小资产阶级，争取民族资产阶级，以军阀政权为代表的帝国主义和大买办、大地主积极的反动统治，建立各革命阶级的联合；这个革命的前途是走向社会主义。在初步形成的新民主主义革命基本思想指导下，“八・七”会议前后，以为代表的中国共产党人开创了党独立领导武装斗争和创建人民军队的新时期，并根据 “八・七”会议精神，把武装斗争和土地革命结合起来，在敌人统治力量薄弱的广大农村创建农村革命根据地，开辟了农村包围城市武装夺取政权的革命新道路。随着革命实践的发展，创立了农村包围城市武装夺取政权的革命道路理论，极大地丰富和发展了新民主主义革命理论。农村包围城市武装夺取政权的革命道路理论，创造性地回答了党领导的制度变革突破口和战略基地、制度变革方式和手段的选择创新问题。

遵义会议结束了王明“左”倾错误在中央的统治，党的组织路线和军事路线开始回到正确轨道。此后，在改组后的中央政治局和三人军事团领导下，党和红军摆脱了几十万大军的围追堵截。并抵制和纠正了“南下”错误，胜利完成了伟大的长征。落脚陕北革命根据地以后，根据共产国际“七大”精神，正确分析“九一八”事变和华北事变以来国际国内政治形势的新变化．抓住中日民族矛盾这个主要矛盾，建立以国共合作为基础的抗日民族统一战线。抗日民族统一战线的一个首要特点是广泛的民族性，就是说，抗日民族统一战线不仅包括工人、农民、城市小资产阶级、民族资产阶级，还包括以为代表的顽固派，这充分体现了抗日民族统一战线广泛的代表性。吸取陈独秀右倾机会主义错误的沉痛教训，党始终坚持抗日民族统一战线中的独立自主原则，坚持党在统一战线中的领导权。抗战进入相持阶段后，针对集团消极抗日积极的事实，党又制定了抗日民族统一战线的策略方针，即发展进步势力，争取中间势力，孤立顽固势力。并从抗日大局出发，对顽固派的斗争，提出了有理、有利、有节的原则。在这些正确方针原则指导下，正确处理同顽固派的关系，始终坚持统一战线斗而不散，磨而不裂，从而为争取抗日战争的最后胜利提供了可靠的政治保证。

革命实践的发展，推动着认识的不断深化。抗战时期，思想和新民主主义理论多方面展开而达到成熟。六届六中全会明确提出了“马克思主义中国化”的重大历史性课题。《中国革命和中国共产党》一文系统论述了认清中国半殖民地半封建社会基本国情和社会性质的极端重要性，首次概括了新民主主义革命总路线，深刻论述了中国革命的领导力量、动力和依靠力量、革命对象、革命任务、革命性质、革命前途等基本问题。《新民主主义论》开门见山地提出了“中国向何处去？”这个基本问题，首次创造性设计建构了新民主主义理论体系框架结构，重点论述了建立新民主主义共和国的历史必然性和新民主主义社会的新经济、新政治、新文化等基本问题。确立了实事求是，一切从实际出发，理论联系实际的正确思想路线。六届七中全会通过的《关于若干历史问题的决议》，科学划分了新民主主义革命发展阶段，总结了党的历史经验，理清了是非，统一了认识。根据抗战后期国内外政治军事形势新变化，在党的七大政治报告――《论联合政府》一文中提出了争取抗战最后胜利和建立独立、自由、民主、统一、富强的新中国的共同纲领，并把共同纲领区分为一般纲领和具体纲领。新民主主义经济纲领规定，保护民族工商业，允许民族资本主义的存在和发展，不没收其私有财产。这说明，以为代表的中国共产党人清醒认识到，在脱胎于中国半殖民地半封建社会的新民主主义社会，民族资本主义经济是新民主主义基本经济制度的组成部分，由此决定的新民主主义政治制度之国体，是包括民族资产阶级在内的各革命阶级的联合。党的七大把思想确立为党的新的指导思想。思想是马克思主义中国化的理论成果，思想是中国化马克思主义。在思想指导下，党的“七大”制定了“放手发动群众，壮大人民力量。在我党领导下，打败日本侵略者，建立一个新民主主义的中国”的政治路线。在这条政治路线的正确指引下，党领导中国人民配合盟军取得了抗日战争的伟大胜利。

战后，在建什么国和通过什么途径建设一个独立，自由，民主，统一、富强的新中国问题上，中国共产党首先代表中国各族广大人民群众迫切要求休养生息的强烈愿望，通过重庆谈判和政协会议，为力争采用改革方式和平途径建设新中国做出了巨大努力。发动全面内战后，党领导解放区军民，在战略上藐视敌人，战术上重视敌人，以自卫正义的革命战争打败了拥有美式武器装备的800万军队的全面进攻和重点进攻，从而使党领导的中国人民革命战争达到了一个新的历史转折点。1947年10月10日适时提出“打倒，解放全中国”的口号。十二月会议制定了彻底打倒，夺取全国胜利的政治、军事、经济纲领和一系列方针政策。1948年4月，根据中国政治军事形势新变化，对新民主主义革命总路线作了新概括，增加了反对“官僚资本主义”的内容，进一步明确了新民主主义革命对象和任务。在新概括的总路线指导下，在全国各族人民全力支持下，抓住战机取得了三大战役的决定性胜利。1949年3月召开的七届二中全会提出由农业国向工业国转变的历史性任务。渡江战役犹如风卷残云秋风扫落叶，迅速解放了长江以南中国大陆。发表的《论人民民主》一文，正式敲定了新中国人民民主的国体。由此新国体决定，新中国权力机构的名称也从《论联合政府》所说的国民代表大会，回归《新民主主义论》所说的人民代表大会了，新中国政府的名称自然也就从联合政府改称为人民政府了。由于新《选举法》尚未颁布，召开人大时机尚不成熟，1949年9月21日先召开了新政协一次会议，通过了建设新中国的政治纲领《共同纲领》，成立了中央人民政府――政务院。在《共同纲领》的指导下，执政党和政府建国头三年在领导人民继续完成新民主主义革命遗留任务的同时，进行了卓有成效的新民主主义经济、政治和文化建设。经济制度之所有制确立了五种经济成分，政治制度确立了人民民主国体和几大政体，即民族区域自治制度、共产党领导的多党合作政治协商制度、选举制度。1954年确立了人民代表大会制度，制定了还不是完全社会主义类型的《宪法》。新民主主义经济和政治制度及其观念形态文化的确立，是与“一穷二白”的基本国情相适应的。

20世纪上半叶党领导的民族独立和人民解放的辉煌成就，新民主主义革命和建设的成功实践，为20世纪下半叶党领导全国各族人民完成第二大历史性任务，即国家繁荣富强和人民共同富裕，奠定了根本政治前提和制度基础。

参考文献：

[1]《文集》1至8卷，中央文献研究室编，北京，人民出版社，1999.

[2]《中国共产党历史》第一卷，中央党史研究室著，北京，中共党史出版社，2002.

半导体论文篇(7)

今年上半年，在县委政府的正确领导下，按照市委宣传部的部署,结合我县工作的实际，县委中心组进一步推进理论武装工作，切实加强县委中心组理论学习的规范化制度化建设；紧密联系我县改革和发展的实际，坚持学以致用。不断丰富学习内容，改进学习的形式和方式，原创充分发挥县委中心组理论学习的示范带动作用。为县委县政府科学决策服务，为双峰“工业强县项目立县城镇兴县外资活县”的发展思路和“全面建设小康双峰”的战略目标提供强有力的思想保证智力支持和舆论环境。现将今年上半年县委中心组理论学习情况总结如下：

一认真制订了学习计划，突出一个核心，做到三个结合

年初，根据省委宣传部省委讲师团的理论学习热点和市委宣传部的具体部署，结合我县的实际，拟出了县委中心组学习计划，并送县委中心组组长审定。今年上半年的学习计划主要突出一个核心，做到三个结合。

1把学习“三个代表”重要思想作为县委中心组学习的核心内容。“三个代表”重要思想是运用马克思主义最现实最生动的教材。上半年县委中心组学习的核心内容就是学习“三个代表”重要思想。因此，在安排学习计划时，把学习“三个代表”重要思想贯穿于中心组学习的全过程。把学习“三个代表”重要思想同学习经济政治文化等方面的知识结合起来，努力提高运用理论分析和解决实际问题的能力。

2把学习贯彻中央省市重大决策，树立科学发展观，同实现我县新跨越结合起来。县委中心组学习紧紧围绕全县工作大局，围绕中央的重大决策和重要战略部署来进行。因此，把全面准确深入学习领会中央一系列重要会议精神，做为一项十分重要的任务贯穿于学习安排中。认真学习领会党的重大方针政策；认真学习领会中央省市各项会议的基本要求方针政策，重大决策和工作部署，增强全力实现我县新跨越的积极性主动性和创造性。

3把学习坚持立党为公执政为民，同始终保持共产党员先进性结合起来。立党为公执政为民是“三个代表”重要思想的本质要求，也是保持共产党员先进性的具体体现。因此，把学习领会和实践立党为公执政为民，保持共产党员先进性这个本质作为重要内容。按照同志提出的为民务实清廉的要求，切实转变作风，树立正确的政绩观，真正做到权为民所用，情为民所系，利为民所谋。今年上半年，县委学习中心组紧紧抓住了保持共产党员先进性教育，全体中心组成员切实摆正了位置务实了作风。

4把学习加强党的领导班子建设，同提高党的执政能力建设结合起来。同志强调，中央要求领导干部加强学习，根本目的是要提高我们执政兴国的本领，提高为人民服务的本领，提高不断开创中国特色社会主义事业新局面的本领。因此，上半年县委中心组学习与各项工作紧密结合，始终围绕提高领导干部理论素养，提高领导水平和决策水平，增强领导班子的凝聚力和战斗力来进行，切实提高了党的执政能力。

二坚持了中心组学习制度，学习方式方法有所创新

为使县委中心组学习步入制度化轨道，我们建立健全了学习制度，并结合双峰的实际，制定了《双峰县委中心组学习制度》，从而保证各项学习任务落到实处。

1保障了充分的学习资料。根据学习需要，及时征订购买了理论书籍以及辅导材料音像资料等，及时收集整理相关报刊资料，推荐一些有价值的理论文章社论评论等，供中心组成员参考。如《条例》的学习，中心组成员每人配备了一本《条例》；保持共产党员先进性教育购买了大量的音像资料。

2搞好了专题调研。每次学习前，都要求中心组所有成员密切联系国际国内形势和全县工作大局，结合我县改革发展稳定的实际，围绕全局性战略性前瞻性的重大问题，设计调研选题，提出调研方案，认真开展专题调研。如《中央一号文件》学习前，所有中心组成员都深入挂点乡镇和挂点村进行调查，找出了存在的突出问题，在学习中都得到了一一解决。

3做好了充分的会务准备。每次学习都根据学习计划和学习情况，提出集中学习的建议方案，经中心组组长审定后，及时协调好集中学习的时间，并聘请有关专家和领导作学习辅导，落实重点发言人，拟发学习通知，准备学习资料，严格考勤登记，做好会议记录。

4保存了学习档案。每次中心组学习的学习请示集中学习通知学习材料学习记录学习考勤发言提纲学习综述和体会文章都存入了中心组学习档案。

5及时通报了学习情况。每次县委中心组学习后，都形成了学习综述，以文件或学习简报等形式向下级党委（党组）通报了县委中心组学习的内容和收获，引导和推动了全县各二级中心组的学习。

6认真组织了全县中心组的半年检查考核。7月份，由县委中心组成员组织了专门力量对全县各二级中心组的半年学习进行了全面的检查考核，及时发出了通报，并对下半年二级中心组的学习进行了指导。

在学习形式上以集中学习为主。今年上半年，县委学习中心组围绕学习贯彻十六大精神学习贯彻“三个代表”重要思想保持共产党员先进性人口安全理论“十一五”工业发展规划等主题，针对大家普遍关心的热点问题重大理论问题，本着高规格高水准先后邀请了省计生厅湘潭大学省委讲师团市财政局市委统战部等领导和知名教授为县委中心组集中辅导7场10个专题。其中《保持共产党员先进性教育专题讲座》《财政法规和条例知识讲座》《人口安全理论与实践专题讲座》和《对台形势分析》《双峰“十一五”工业发展战略专题讲座》都扩大到了各乡镇书记镇长县直局党政一把手，取得很好的成效。

在学习方法上，做到五个结合，逐步形成了一套科学的学习方法体系。县委中心组在学习方法上做到集中学习与分散自学相结合，走出去与请进来相结合，在上面学与走下去讲相结合，理论研讨与实地考察相结合独立思考与互相交流相结合，尤其是全面启动了“借脑引智”工程。