《Journal of Semiconductors》杂志论文格式要求：
①内容摘要与作者单位全称间空2-3行，要求摘要内容言简意赅，严谨活泼，体现全文主题思想之精髓，不是文中某段落某句话的重复摘录。
②文稿应具有先进性、科学性、实用性和逻辑性。论点明确，资料可靠，数据准确，层次清楚，文字精炼，图表简明，统计学处理方法正确、规范。
③来稿应主题突出、论点明确、论据可靠、数据准确、语言精练，具有创新性。
④引用国际组织机构报告时，应标明机构名，报告名，编号，第几页或第几段，但联大决议和安理会决议等可略去机构名和报告名，直接在UN Doc.后标出文件编号。
⑤中文题名一般不超过20个汉字，必要时可加副题名，应避免使用非公知公用的缩略语、字符、代号以及结构式和公式。
⑥文稿作者署名人数一般不超过5人，作者单位不超过3个。第一作者须附简介，包括工作单位、地址、邮编、年龄、性别、民族、学历、职称、职务；其它作者附作者单位、地址和邮编。
⑦数字请按国家标准GB/T15835-1995《出版物上数字用法的规定》书写。计量单位按我国法定计量单位、国际单位的计量单位名称与符号表示，生化指标按国际单位制。
⑧参考文献采用尾注实引方式，凡是引用他人的观点、理论及数据必须按顺序标注出来，文后的文献排列顺序与文中对应。
⑨稿件中的注释请以脚注形式在当页页脚标出。引用报刊资料，请注明作者姓名、文章标题、刊名、刊期；引用书籍资料，请注明作者姓名、书名、出版社、出版时间和页码；引用互联网资料，请注明作者姓名、文献名、网址和时间。
⑩项目背景和目标：在文章中清晰地介绍基金项目的背景和目标。说明该项目所属的研究领域以及解决的具体问题。
基本信息
《Journal of Semiconductors》杂志是由中国科学院主管，中国科学院半导体研究所;中国电子学会主办的国内外公开发行的学术理论期刊，创刊于1980年，是国内电力领域具有广泛影响力的权威刊物。
该杂志国内刊号为11-5781/TN，国际刊号为1674-4926，现被CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、EI 工程索引(美)、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、Pж(AJ) 文摘杂志(俄)、剑桥科学文摘、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏、文摘与引文数据库、文摘杂志等权威数据库收录。
此外，还荣获多项荣誉，如：全国优秀科技期刊、中国科技期刊优秀期刊等，这些都体现了该杂志在推动电力理论与实践发展方面的重要贡献。
栏目设置
《Journal of Semiconductors》杂志栏目涵盖电力领域多个维度，包括：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
作为一本具有较高学术水平和影响力的电力杂志，多年来一直致力于推动电力领域的改革与发展，为电力工作者和研究者提供了一个交流和探索的平台，对促进我国电力事业的发展起到了积极的作用。
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