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数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 上海200050; 中国科学院大学; 北京100049; 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室; 上海200083; 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 上海200083
- 数字递变
- 异变
- 缓冲
- ingaas
- 光电探测器
摘要：研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.
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